报告题目：应力“点亮”碳化硅自旋

报告人：周宇 教授 哈尔滨工业大学（深圳）

报告时间：2025.9.12（周五）下午16:30

报告地点：光电所二层报告厅

报告摘要：  

固态量子缺陷已成为推动量子技术变革的重要平台，其中在室温下实现高保真单自旋读出，尤其是面向量子生物传感应用，被视为关键需求。本研究通过对碳化硅中主要量子缺陷进行从头算模拟，证明应变是一个可有效提升读出对比度的调控参数。实验上，借助在绝缘体上碳化硅（SiCOI）薄膜中引入局域应变，实现了超过60%的读出对比度，同时保持了单自旋的优良相干特性。研究结果确立了应变工程作为优化碳化硅膜中PL6双空位中心相干自旋-光子界面的有力且通用策略，并可望推广至其他类似缺陷体系，将于近期发表在Phy. Rev. Lett. 上，并被选为Editors’suggestion.

报告人简介：

周宇，哈尔滨工业大学（深圳）教授，博士生导师，中国科协青年托举人才。本科毕业于西安交通大学，博士毕业于新加坡南洋理工大学（导师 高炜博教授），曾任腾讯量子实验室高级研究员。从事半通信波段半导体量子光源和自旋比特研究，在Nat. Commun. (4篇）、Phy. Rev. Lett.、 Sci. Adv. 等期刊发表第一/通讯SCI论文16篇。在量子芯片、量子系统控制等方向授权中国/美国发明专利 10 余项，获得福布斯中国 30位30岁以下精英、国家优秀自费留学生奖等荣誉。主持国自然青年/面上项目、广东省量子科学战略专项重点项目、深圳市重点项目，参与国家科技重大专项青年项目。

责编丨冯   伟

二审丨曲睿娟

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